קנה IXYS IXTD1R4N60P 11 MOSFET N-CH 600V

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

IXTD1R4N60P 11

MOSFET N-CH 600V

מספר חלק

IXTD1R4N60P 11

יצרן/מותג

IXYS

סִדרָה

PolarHV™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

Die

חבילת מכשירי ספק

Die

פיזור כוח (מקסימום)

50W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

600V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

1.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 25µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

5.2nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

140pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2521 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

IXTD1R4N60P 11

MOSFET N-CH 600V