IXFY4N60P3
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
מספר חלק
IXFY4N60P3
יצרן/מותג
סִדרָה
HiPerFET™, Polar3™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
חבילת מכשירי ספק
TO-252
פיזור כוח (מקסימום)
114W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
600V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
6.9nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
365pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±30V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2880 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXFY4N60P3
IXFY4N60P3 רכיבים אלקטרוניים
IXFY4N60P3 מכירות
ספק IXFY4N60P3
IXFY4N60P3 מפיץ
IXFY4N60P3 טבלת נתונים
IXFY4N60P3 תמונות
מחיר IXFY4N60P3
IXFY4N60P3 הצעה
IXFY4N60P3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXFY4N60P3
IXFY4N60P3 רכישה
שבב IXFY4N60P3