IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
מספר חלק
IXFN82N60Q3
יצרן/מותג
סִדרָה
HiPerFET™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
חבילת מכשירי ספק
SOT-227B
פיזור כוח (מקסימום)
960W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
600V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
275nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
13500pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±30V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3337 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXFN82N60Q3
IXFN82N60Q3 רכיבים אלקטרוניים
IXFN82N60Q3 מכירות
ספק IXFN82N60Q3
IXFN82N60Q3 מפיץ
IXFN82N60Q3 טבלת נתונים
IXFN82N60Q3 תמונות
מחיר IXFN82N60Q3
IXFN82N60Q3 הצעה
IXFN82N60Q3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXFN82N60Q3
IXFN82N60Q3 רכישה
שבב IXFN82N60Q3