קנה IXYS IXFN100N10S3 MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IXFN100N10S3

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

מספר חלק

IXFN100N10S3

יצרן/מותג

IXYS

סִדרָה

HiPerFET™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Chassis Mount

חבילה / מארז

SOT-227-4, miniBLOC

חבילת מכשירי ספק

SOT-227B

פיזור כוח (מקסימום)

360W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

180nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

4500pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3810 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B