IXFN50N80Q2
MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
מספר חלק
IXFN50N80Q2
יצרן/מותג
סִדרָה
HiPerFET™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
חבילת מכשירי ספק
SOT-227B
פיזור כוח (מקסימום)
1135W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
800V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
260nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
13500pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±30V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3246 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXFN50N80Q2
IXFN50N80Q2 רכיבים אלקטרוניים
IXFN50N80Q2 מכירות
ספק IXFN50N80Q2
IXFN50N80Q2 מפיץ
IXFN50N80Q2 טבלת נתונים
IXFN50N80Q2 תמונות
מחיר IXFN50N80Q2
IXFN50N80Q2 הצעה
IXFN50N80Q2 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXFN50N80Q2
IXFN50N80Q2 רכישה
שבב IXFN50N80Q2