התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
IXFN170N30P

IXFN170N30P

MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
מספר חלק
IXFN170N30P
יצרן/מותג
סִדרָה
Polar™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
חבילת מכשירי ספק
SOT-227B
פיזור כוח (מקסימום)
890W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
300V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
258nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
20000pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 780 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של IXFN170N30P
IXFN170N30P רכיבים אלקטרוניים
IXFN170N30P מכירות
ספק IXFN170N30P
IXFN170N30P מפיץ
IXFN170N30P טבלת נתונים
IXFN170N30P תמונות
מחיר IXFN170N30P
IXFN170N30P הצעה
IXFN170N30P המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXFN170N30P
IXFN170N30P רכישה
שבב IXFN170N30P