קנה Infineon Technologies SPB20N60C3ATMA1 MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SPB20N60C3ATMA1

MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK

מספר חלק

SPB20N60C3ATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

CoolMOS™

סטטוס חלק

Not For New Designs

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

PG-TO263-3-2

פיזור כוח (מקסימום)

208W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

20.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 13.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

114nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2400pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3330 PCS

פרטי התקשרות