קנה Infineon Technologies IRL60S216 MOSFET N-CH 60V 195A

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

IRL60S216

MOSFET N-CH 60V 195A

מספר חלק

IRL60S216

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

HEXFET®, StrongIRFET™

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

D2PAK

פיזור כוח (מקסימום)

375W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

195A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.95 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

255nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

15330pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2346 PCS

פרטי התקשרות