קנה Infineon Technologies IRFH3702TR2PBF MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

IRFH3702TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

מספר חלק

IRFH3702TR2PBF

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

HEXFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

חבילת מכשירי ספק

8-PQFN (3x3)

פיזור כוח (מקסימום)

2.8W (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

16A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.1 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

14nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1510pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2248 PCS

פרטי התקשרות