קנה Infineon Technologies IPT60R080G7XTMA1 MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPT60R080G7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

מספר חלק

IPT60R080G7XTMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

CoolMOS™ G7

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerSFN

חבילת מכשירי ספק

PG-HSOF-8

פיזור כוח (מקסימום)

167W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

29A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 490µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

42nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1640pF @ 400V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3002 PCS

פרטי התקשרות