קנה Infineon Technologies IPI70N10S3L12AKSA1 MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPI70N10S3L12AKSA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3

מספר חלק

IPI70N10S3L12AKSA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

חבילת מכשירי ספק

PG-TO262-3

פיזור כוח (מקסימום)

125W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

70A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.1 mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 83µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

80nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

5550pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2387 PCS

פרטי התקשרות