IPG20N10S4L22ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON
מספר חלק
IPG20N10S4L22ATMA1
יצרן/מותג
סִדרָה
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Cut Tape (CT)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
כוח - מקסימום
60W
חבילת מכשירי ספק
PG-TDSON-8-4
סוג FET
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
מתח ניקוז למקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 25µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
27nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1755pF @ 25V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3981 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IPG20N10S4L22ATMA1
IPG20N10S4L22ATMA1 רכיבים אלקטרוניים
IPG20N10S4L22ATMA1 מכירות
ספק IPG20N10S4L22ATMA1
IPG20N10S4L22ATMA1 מפיץ
IPG20N10S4L22ATMA1 טבלת נתונים
IPG20N10S4L22ATMA1 תמונות
מחיר IPG20N10S4L22ATMA1
IPG20N10S4L22ATMA1 הצעה
IPG20N10S4L22ATMA1 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IPG20N10S4L22ATMA1
IPG20N10S4L22ATMA1 רכישה
שבב IPG20N10S4L22ATMA1