קנה Infineon Technologies IPG20N04S412ATMA1 MOSFET 2N-CH 8TDSON

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPG20N04S412ATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

מספר חלק

IPG20N04S412ATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

כוח - מקסימום

41W

חבילת מכשירי ספק

PG-TDSON-8-4

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.2 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 15µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

18nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1470pF @ 25V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2656 PCS

פרטי התקשרות