קנה Infineon Technologies IPC100N04S51R2ATMA1 MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPC100N04S51R2ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

מספר חלק

IPC100N04S51R2ATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

חבילת מכשירי ספק

PG-TDSON-8

פיזור כוח (מקסימום)

150W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.4V @ 90µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

131nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

7650pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

7V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1058 PCS

פרטי התקשרות