קנה Infineon Technologies IPB320N20N3GATMA1 MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPB320N20N3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3

מספר חלק

IPB320N20N3GATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

D²PAK (TO-263AB)

פיזור כוח (מקסימום)

136W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

200V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

34A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 90µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

29nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2350pF @ 100V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1293 PCS

פרטי התקשרות