קנה Infineon Technologies IPB08CN10N G MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPB08CN10N G

MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

מספר חלק

IPB08CN10N G

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

D²PAK (TO-263AB)

פיזור כוח (מקסימום)

167W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

95A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2 mOhm @ 95A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 130µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

100nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

6660pF @ 50V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3344 PCS

פרטי התקשרות