IPB009N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
מספר חלק
IPB009N03LGATMA1
יצרן/מותג
סִדרָה
OptiMOS™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Digi-Reel®
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
חבילת מכשירי ספק
PG-TO263-7-3
פיזור כוח (מקסימום)
250W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
227nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
25000pF @ 15V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
4.5V, 10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 694 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IPB009N03LGATMA1
IPB009N03LGATMA1 רכיבים אלקטרוניים
IPB009N03LGATMA1 מכירות
ספק IPB009N03LGATMA1
IPB009N03LGATMA1 מפיץ
IPB009N03LGATMA1 טבלת נתונים
IPB009N03LGATMA1 תמונות
מחיר IPB009N03LGATMA1
IPB009N03LGATMA1 הצעה
IPB009N03LGATMA1 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IPB009N03LGATMA1
IPB009N03LGATMA1 רכישה
שבב IPB009N03LGATMA1