קנה Infineon Technologies IPB083N15N5LFATMA1 MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPB083N15N5LFATMA1

MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

מספר חלק

IPB083N15N5LFATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

D²PAK (TO-263AB)

פיזור כוח (מקסימום)

179W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

150V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

105A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.9V @ 134µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

45nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

210pF @ 75V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1314 PCS

פרטי התקשרות