קנה Infineon Technologies IPB017N10N5LFATMA1 MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPB017N10N5LFATMA1

MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

מספר חלק

IPB017N10N5LFATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™-5

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

חבילת מכשירי ספק

PG-TO263-7

פיזור כוח (מקסימום)

313W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

180A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.1V @ 270µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

195nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

840pF @ 50V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 984 PCS

פרטי התקשרות