קנה Infineon Technologies IPB015N04NGATMA1 MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

IPB015N04NGATMA1

MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

מספר חלק

IPB015N04NGATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

D²PAK (TO-263AB)

פיזור כוח (מקסימום)

250W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

250nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

20000pF @ 20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2173 PCS

פרטי התקשרות