קנה Infineon Technologies BUZ30AH3045AATMA1 MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

BUZ30AH3045AATMA1

MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

מספר חלק

BUZ30AH3045AATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

SIPMOS®

סטטוס חלק

Discontinued at Digi-Key

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

D²PAK (TO-263AB)

פיזור כוח (מקסימום)

125W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

200V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1900pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3316 PCS

פרטי התקשרות