קנה GeneSiC Semiconductor MBR500200CT DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

MBR500200CT

DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER

מספר חלק

MBR500200CT

יצרן/מותג

GeneSiC Semiconductor

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Bulk

סוג הרכבה

Chassis Mount

חבילה / מארז

Twin Tower

חבילת מכשירי ספק

Twin Tower

סוג דיודה

Schottky

מתח - קדימה (Vf) (מקס) @ אם

920mV @ 250A

זרם - דליפה הפוכה @ Vr

3mA @ 200V

תצורת דיודה

1 Pair Common Cathode

מתח - DC הפוך (Vr) (מקסימום)

200V

נוכחי - ממוצע מתוקן (Io) (לדיודה)

250A

מְהִירוּת

Fast Recovery = 200mA (Io)

זמן התאוששות הפוך (trr)

טמפרטורת הפעלה - צומת

-55°C ~ 150°C

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3158 PCS

פרטי התקשרות