קנה GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252 DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

GB01SLT12-252

DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252

מספר חלק

GB01SLT12-252

יצרן/מותג

GeneSiC Semiconductor

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

חבילת מכשירי ספק

TO-252

סוג דיודה

Silicon Carbide Schottky

נוכחי - ממוצע מתוקן (Io)

מתח - קדימה (Vf) (מקס) @ אם

1.8V @ 1A

זרם - דליפה הפוכה @ Vr

2µA @ 1200V

מתח - DC הפוך (Vr) (מקסימום)

1200V

מְהִירוּת

No Recovery Time > 500mA (Io)

זמן התאוששות הפוך (trr)

0ns

טמפרטורת הפעלה - צומת

-55°C ~ 175°C

קיבול @ Vr, F

69pF @ 1V, 1MHz

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1229 PCS

פרטי התקשרות