קנה GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227 TRANS SJT 1200V 160A SOT227

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

GA100JT12-227

TRANS SJT 1200V 160A SOT227

מספר חלק

GA100JT12-227

יצרן/מותג

GeneSiC Semiconductor

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Chassis Mount

חבילה / מארז

SOT-227-4, miniBLOC

חבילת מכשירי ספק

SOT-227

פיזור כוח (מקסימום)

535W (Tc)

סוג FET

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

1200V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

160A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 100A

Vgs(th) (Max) @ Id

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

14400pF @ 800V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

Vgs (מקסימום)

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3376 PCS

פרטי התקשרות