EPC8002
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
מספר חלק
EPC8002
יצרן/מותג
סִדרָה
eGaN®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
GaNFET (Gallium Nitride)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
Die
חבילת מכשירי ספק
Die
פיזור כוח (מקסימום)
-
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
65V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
530 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
-
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
21pF @ 32.5V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
5V
Vgs (מקסימום)
+6V, -4V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2870 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של EPC8002
EPC8002 רכיבים אלקטרוניים
EPC8002 מכירות
ספק EPC8002
EPC8002 מפיץ
EPC8002 טבלת נתונים
EPC8002 תמונות
מחיר EPC8002
EPC8002 הצעה
EPC8002 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש EPC8002
EPC8002 רכישה
שבב EPC8002