קנה Diodes Incorporated DMT10H010LPS-13 MOSFET N-CH 100V 9.4A

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

DMT10H010LPS-13

MOSFET N-CH 100V 9.4A

מספר חלק

DMT10H010LPS-13

יצרן/מותג

Diodes Incorporated

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

חבילת מכשירי ספק

PowerDI5060-8

פיזור כוח (מקסימום)

1.2W (Ta), 139W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

9.4A (Ta), 98A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

71nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3000pF @ 50V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1171 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

DMT10H010LCT

MOSFET N-CH 100V TO220AB