קנה Diodes Incorporated DMN6013LFG-7 MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

DMN6013LFG-7

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

מספר חלק

DMN6013LFG-7

יצרן/מותג

Diodes Incorporated

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerWDFN

חבילת מכשירי ספק

PowerDI3333-8

פיזור כוח (מקסימום)

1W (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

10.3A (Ta), 45A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

55.4nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2577pF @ 30V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1371 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

DMN6013LFG-13

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8