AOW11S65
MOSFET N-CH 650V 11A TO262
מספר חלק
AOW11S65
יצרן/מותג
סִדרָה
aMOS™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
חבילת מכשירי ספק
TO-262
פיזור כוח (מקסימום)
198W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
650V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
399 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
13.2nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
646pF @ 100V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±30V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3375 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של AOW11S65
AOW11S65 רכיבים אלקטרוניים
AOW11S65 מכירות
ספק AOW11S65
AOW11S65 מפיץ
AOW11S65 טבלת נתונים
AOW11S65 תמונות
מחיר AOW11S65
AOW11S65 הצעה
AOW11S65 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש AOW11S65
AOW11S65 רכישה
שבב AOW11S65