AOI11S60
MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
מספר חלק
AOI11S60
יצרן/מותג
סִדרָה
aMOS™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-251-3 Stub Leads, IPak
חבילת מכשירי ספק
TO-251A
פיזור כוח (מקסימום)
208W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
600V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
399 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
11nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
545pF @ 100V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±30V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2589 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של AOI11S60
AOI11S60 רכיבים אלקטרוניים
AOI11S60 מכירות
ספק AOI11S60
AOI11S60 מפיץ
AOI11S60 טבלת נתונים
AOI11S60 תמונות
מחיר AOI11S60
AOI11S60 הצעה
AOI11S60 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש AOI11S60
AOI11S60 רכישה
שבב AOI11S60