onsemi (Ansemi)
התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
NCD57000DWR2G Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.

NCD57000DWR2G

Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.
מספר חלק
NCD57000DWR2G
קטגוריה
Power Chip > Gate Driver IC
יצרן/מותג
onsemi (Ansemi)
כימוס
SOIC-16-300mil
אֲרִיזָה
taping
מספר חבילות
1000
תיאור
The NCD57000 is a high current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation for high system efficiency and reliability in high power applications. Features include complementary inputs, open-drain FAULT and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLO, DESAT protection, soft shutdown on DESAT, and separate high and low driver outputs (OUTH and OUTL ). The NCD57000 can accommodate 5V and 3.3V signals on the input side, and a wide range of bias voltages on the driver side, including negative voltage capability. The NCD57000 provides > 5 kVrms (UL1577 rated) galvanic isolation and > 1200 Viorm (working voltage). The NCD57000 uses a wide body SOIC-16 encapsulation that guarantees 8 mm creepage distance between input and output, meeting reinforced safety insulation requirements.
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 69307 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של NCD57000DWR2G
NCD57000DWR2G רכיבים אלקטרוניים
NCD57000DWR2G מכירות
ספק NCD57000DWR2G
NCD57000DWR2G מפיץ
NCD57000DWR2G טבלת נתונים
NCD57000DWR2G תמונות
מחיר NCD57000DWR2G
NCD57000DWR2G הצעה
NCD57000DWR2G המחיר הנמוך ביותר
חיפוש NCD57000DWR2G
NCD57000DWR2G רכישה
שבב NCD57000DWR2G