קנה Vishay Siliconix SQM120N10-3M8_GE3 MOSFET N-CH 100V 120A TO263

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SQM120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

מספר חלק

SQM120N10-3M8_GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

TO-263 (D²Pak)

פיזור כוח (מקסימום)

375W (Tc)

סוג FET

N-Channel

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

190nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

7230pF @ 25V

Vgs (מקסימום)

±20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 892 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SQM100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO263