קנה Vishay Siliconix SQJB60EP-T1_GE3 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SQJB60EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

מספר חלק

SQJB60EP-T1_GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8 Dual

כוח - מקסימום

48W

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8 Dual

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

30nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1600pF @ 25V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3734 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SQJB00EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8