קנה Vishay Siliconix SQJ962EP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SQJ962EP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

מספר חלק

SQJ962EP-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8 Dual

כוח - מקסימום

25W

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8 Dual

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

14nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

475pF @ 25V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2266 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8