קנה Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_GE3 MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SQ2310ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

מספר חלק

SQ2310ES-T1_GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

חבילת מכשירי ספק

TO-236

פיזור כוח (מקסימום)

2W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

485pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±8V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 812 PCS

פרטי התקשרות