קנה Vishay Siliconix SIZ998DT-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIZ998DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

מספר חלק

SIZ998DT-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerWDFN

כוח - מקסימום

20.2W, 32.9W

חבילת מכשירי ספק

8-PowerPair®

סוג FET

2 N-Channel (Dual), Schottky

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

930pF @ 15V, 2620pF @ 15V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1033 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR