קנה Vishay Siliconix SIZ926DT-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIZ926DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

מספר חלק

SIZ926DT-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen IV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerWDFN

כוח - מקסימום

20.2W, 40W

חבילת מכשירי ספק

8-PowerPair® (6x5)

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

25V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

19nC @ 10V, 41nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

925pF @ 10V, 2150pF @ 10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2609 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR