קנה Vishay Siliconix SIZ914DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIZ914DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

מספר חלק

SIZ914DT-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerWDFN

כוח - מקסימום

22.7W, 100W

חבילת מכשירי ספק

8-PowerPair®

סוג FET

2 N-Channel (Half Bridge)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

16A, 40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4 mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

26nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1208pF @ 15V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2830 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR