קנה Vishay Siliconix SIZ910DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIZ910DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

מספר חלק

SIZ910DT-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Digi-Reel®

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerWDFN

כוח - מקסימום

48W, 100W

חבילת מכשירי ספק

8-PowerPair® (6x5)

סוג FET

2 N-Channel (Half Bridge)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

40nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1500pF @ 15V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל chen_hx1688@hotmail.com, אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1617 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR