קנה Vishay Siliconix SIS436DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIS436DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

מספר חלק

SIS436DN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8

פיזור כוח (מקסימום)

3.5W (Ta), 27.7W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

25V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

22nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

855pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3570 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8