התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
מספר חלק
SIS436DN-T1-GE3
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
חבילת מכשירי ספק
PowerPAK® 1212-8
פיזור כוח (מקסימום)
3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
25V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
22nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
855pF @ 10V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
4.5V, 10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3570 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SIS436DN-T1-GE3
SIS436DN-T1-GE3 רכיבים אלקטרוניים
SIS436DN-T1-GE3 מכירות
ספק SIS436DN-T1-GE3
SIS436DN-T1-GE3 מפיץ
SIS436DN-T1-GE3 טבלת נתונים
SIS436DN-T1-GE3 תמונות
מחיר SIS436DN-T1-GE3
SIS436DN-T1-GE3 הצעה
SIS436DN-T1-GE3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SIS436DN-T1-GE3
SIS436DN-T1-GE3 רכישה
שבב SIS436DN-T1-GE3