התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
מספר חלק
SIS414DN-T1-GE3
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
חבילת מכשירי ספק
PowerPAK® 1212-8
פיזור כוח (מקסימום)
3.4W (Ta), 31W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
33nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
795pF @ 15V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
2.5V, 4.5V
Vgs (מקסימום)
±12V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3833 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SIS414DN-T1-GE3
SIS414DN-T1-GE3 רכיבים אלקטרוניים
SIS414DN-T1-GE3 מכירות
ספק SIS414DN-T1-GE3
SIS414DN-T1-GE3 מפיץ
SIS414DN-T1-GE3 טבלת נתונים
SIS414DN-T1-GE3 תמונות
מחיר SIS414DN-T1-GE3
SIS414DN-T1-GE3 הצעה
SIS414DN-T1-GE3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SIS414DN-T1-GE3
SIS414DN-T1-GE3 רכישה
שבב SIS414DN-T1-GE3