קנה Vishay Siliconix SIS414DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIS414DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

מספר חלק

SIS414DN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8

פיזור כוח (מקסימום)

3.4W (Ta), 31W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

33nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

795pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

2.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±12V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3833 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8