קנה Vishay Siliconix SIS410DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIS410DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

מספר חלק

SIS410DN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8

פיזור כוח (מקסימום)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

41nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1600pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1202 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8