התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SIR876DP-T1-GE3

SIR876DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
מספר חלק
SIR876DP-T1-GE3
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Obsolete
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
חבילת מכשירי ספק
PowerPAK® SO-8
פיזור כוח (מקסימום)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
48nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1640pF @ 50V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
4.5V, 10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1321 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SIR876DP-T1-GE3
SIR876DP-T1-GE3 רכיבים אלקטרוניים
SIR876DP-T1-GE3 מכירות
ספק SIR876DP-T1-GE3
SIR876DP-T1-GE3 מפיץ
SIR876DP-T1-GE3 טבלת נתונים
SIR876DP-T1-GE3 תמונות
מחיר SIR876DP-T1-GE3
SIR876DP-T1-GE3 הצעה
SIR876DP-T1-GE3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SIR876DP-T1-GE3
SIR876DP-T1-GE3 רכישה
שבב SIR876DP-T1-GE3