קנה Vishay Siliconix SIR838DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIR838DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

מספר חלק

SIR838DP-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8

פיזור כוח (מקסימום)

5.4W (Ta), 96W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

150V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

50nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2075pF @ 75V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1638 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIR800ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8