קנה Vishay Siliconix SIR492DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIR492DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

מספר חלק

SIR492DP-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-50°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8

פיזור כוח (מקסימום)

4.2W (Ta), 36W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

12V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

110nC @ 8V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3720pF @ 6V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

2.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±8V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1555 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIR401DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8