התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
מספר חלק
SIR410DP-T1-GE3
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
חבילת מכשירי ספק
PowerPAK® SO-8
פיזור כוח (מקסימום)
4.2W (Ta), 36W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
41nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1600pF @ 10V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
4.5V, 10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2722 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SIR410DP-T1-GE3
SIR410DP-T1-GE3 רכיבים אלקטרוניים
SIR410DP-T1-GE3 מכירות
ספק SIR410DP-T1-GE3
SIR410DP-T1-GE3 מפיץ
SIR410DP-T1-GE3 טבלת נתונים
SIR410DP-T1-GE3 תמונות
מחיר SIR410DP-T1-GE3
SIR410DP-T1-GE3 הצעה
SIR410DP-T1-GE3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SIR410DP-T1-GE3
SIR410DP-T1-GE3 רכישה
שבב SIR410DP-T1-GE3