קנה Vishay Siliconix SIR165DP-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIR165DP-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

מספר חלק

SIR165DP-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen III

סטטוס חלק

Active

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8

פיזור כוח (מקסימום)

69.4W (Tc)

סוג FET

P-Channel

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

138nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

4930pF @ 15V

Vgs (מקסימום)

±20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1778 PCS

פרטי התקשרות