קנה Vishay Siliconix SIJA58DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIJA58DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

מספר חלק

SIJA58DP-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen IV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8

פיזור כוח (מקסימום)

27.7W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

75nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3750pF @ 20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

+20V, -16V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1850 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L