קנה Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIHG33N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

מספר חלק

SIHG33N65E-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סטטוס חלק

Active

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-247-3

חבילת מכשירי ספק

TO-247AC

פיזור כוח (מקסימום)

313W (Tc)

סוג FET

N-Channel

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

32.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

173nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

4040pF @ 100V

Vgs (מקסימום)

±30V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 498 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIHG039N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V TO247AC