קנה Vishay Siliconix SIE836DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIE836DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

מספר חלק

SIE836DF-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

10-PolarPAK® (SH)

חבילת מכשירי ספק

10-PolarPAK® (SH)

פיזור כוח (מקסימום)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

200V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

18.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

41nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1200pF @ 100V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2444 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK