התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SIE832DF-T1-GE3

SIE832DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
מספר חלק
SIE832DF-T1-GE3
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
10-PolarPAK® (S)
חבילת מכשירי ספק
10-PolarPAK® (S)
פיזור כוח (מקסימום)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
40V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
77nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
3800pF @ 20V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
4.5V, 10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3428 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SIE832DF-T1-GE3
SIE832DF-T1-GE3 רכיבים אלקטרוניים
SIE832DF-T1-GE3 מכירות
ספק SIE832DF-T1-GE3
SIE832DF-T1-GE3 מפיץ
SIE832DF-T1-GE3 טבלת נתונים
SIE832DF-T1-GE3 תמונות
מחיר SIE832DF-T1-GE3
SIE832DF-T1-GE3 הצעה
SIE832DF-T1-GE3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SIE832DF-T1-GE3
SIE832DF-T1-GE3 רכישה
שבב SIE832DF-T1-GE3