קנה Vishay Siliconix SIE832DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIE832DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK

מספר חלק

SIE832DF-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

10-PolarPAK® (S)

חבילת מכשירי ספק

10-PolarPAK® (S)

פיזור כוח (מקסימום)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

77nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3800pF @ 20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3428 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK